Tootja Toote Number:
STW38N65M5-4
Product Overview
Tootja:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Osanumber:
STW38N65M5-4-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventuur:
50 tk Uus Originaal Laos
12873428
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
IulZ
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
STW38N65M5-4 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
STMicroelectronics
Pakendamine
Tube
Seeria
MDmesh™ M5
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3000 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
190W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247-4
Pakett / ümbris
TO-247-4
Põhitoote number
STW38
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
-1138-STW38N65M5-4
497-18042
STW38N65M5-4-DG
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STW75NF30AG
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
STP8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
