Tootja Toote Number:
STP24N60M2
Product Overview
Tootja:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Osanumber:
STP24N60M2-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventuur:
189 tk Uus Originaal Laos
12870212
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
STP24N60M2 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
STMicroelectronics
Pakendamine
Tube
Seeria
MDmesh™ II Plus
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1060 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
150W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
STP24
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
497-13556-5
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STD9N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
STD30NF06
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
STWA70N60DM6
MOSFET N-CH 600V 62A TO247
