Tootja Toote Number:
STI26NM60N
Product Overview
Tootja:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Osanumber:
STI26NM60N-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventuur:
942 tk Uus Originaal Laos
12876631
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
uCiS
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
STI26NM60N Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
STMicroelectronics
Pakendamine
Tube
Seeria
MDmesh™ II
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
140W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
I2PAK
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
STI26N
Lisainfo
Muud nimed
497-12261
-497-12261
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPI60R190C6XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
495
DiGi OSANUMBER
IPI60R190C6XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.43
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STF8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
STS5PF30L
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
