Tootja Toote Number:
STH265N6F6-6AG
Product Overview
Tootja:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Osanumber:
STH265N6F6-6AG-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventuur:
12873513
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
Rbvb
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
STH265N6F6-6AG Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
STMicroelectronics
Pakendamine
-
Seeria
STripFET™ F6
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
11800 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
H2PAK-6
Pakett / ümbris
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Põhitoote number
STH265
Lisainfo
Muud nimed
-497-15472-2
497-15472-6
-497-15472-6
497-15472-2
497-15472-1
-497-15472-1
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPB017N06N3GATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
9000
DiGi OSANUMBER
IPB017N06N3GATMA1-DG
ÜHIKPRICE
1.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STB270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STW35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO247
STWA88N65M5
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
