Tootja Toote Number:
STF10NM60N
Product Overview
Tootja:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Osanumber:
STF10NM60N-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventuur:
553 tk Uus Originaal Laos
12875044
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
STF10NM60N Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
STMicroelectronics
Pakendamine
Tube
Seeria
MDmesh™ II
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (max)
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
25W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220FP
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
STF10
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
497-12564-5
STF10NM60N-DG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
STF17N62K3
MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220FP
STL8N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
STF100N6F7
MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP
