Tootja Toote Number:
2SD1803S-E
Product Overview
Tootja:
Sanyo
DiGi Electronics Osanumber:
2SD1803S-E-DG
Kirjeldus:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventuur:
3000 tk Uus Originaal Laos
12946092
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD1803S-E Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
400mV @ 150mA, 3A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
140 @ 500mA, 2V
Võimsus - Max
1 W
Sagedus - üleminek
180MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tarnija seadme pakett
IPAK/TP
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Standardpakett
461
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SD1802T-E
TRANS NPN 50V 5A TP
BC556BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2SD1005-T1-AY
2SD1005 - SIGNAL DEVICE
