Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
2SD1153
Product Overview
Tootja:
Sanyo
DiGi Electronics Osanumber:
2SD1153-DG
Kirjeldus:
NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 50 V 1.5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventuur:
5450 tk Uus Originaal Laos
12933206
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SD1153 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN - Darlington
Praegune - kollektor (Ic) (max)
1.5 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1.5V @ 500µA, 500mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
4000 @ 500mA, 2V
Võimsus - Max
900 mW
Sagedus - üleminek
120MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tarnija seadme pakett
3-MP
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Datasheet
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SD1153
ONSONS2SD1153
Standardpakett
468
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
Not applicable
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SB926S
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BCP68E6327
POWER BIPOLAR TRANSISTOR
2SB507E
TRANSISTOR
PBSS4240X115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR