Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
2SC3591
Product Overview
Tootja:
Sanyo
DiGi Electronics Osanumber:
2SC3591-DG
Kirjeldus:
NPN SILICON TRANSISTOR
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 40MHz 50 W Through Hole TO-220AB
Inventuur:
8000 tk Uus Originaal Laos
12968559
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SC3591 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
7 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
200 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
800mV @ 500mA, 5A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
15 @ 1A, 1V
Võimsus - Max
50 W
Sagedus - üleminek
40MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Klassi
-
Kvalifikatsiooni
-
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-220-3
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Datasheet
Lisainfo
Muud nimed
ONSSNY2SC3591
2156-2SC3591
Standardpakett
365
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
Not applicable
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SC3361-5-TB-E
BIP NPNP 0.15A 50V
2N3773V
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
PZTA14T3
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N4403ZL1
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR