Tootja Toote Number:
2SB1274R-SA
Product Overview
Tootja:
Sanyo
DiGi Electronics Osanumber:
2SB1274R-SA-DG
Kirjeldus:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Inventuur:
8300 tk Uus Originaal Laos
12940366
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SB1274R-SA Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
3 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
60 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
1V @ 200mA, 2A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100µA
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 500mA, 5V
Võimsus - Max
2 W
Sagedus - üleminek
100MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Tarnija seadme pakett
TO-220ML
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-2SB1274R-SA
ONSSNY2SB1274R-SA
Standardpakett
1,902
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
Not applicable
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SB985T-AE
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA1965-S-TL-E
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SB560E-MP-AE-SY
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
