Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
US6M1TR
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
US6M1TR-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventuur:
11980 tk Uus Originaal Laos
13526032
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
US6M1TR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V, 20V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.4A, 1A
Rds sees (max) @ id, vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
2nC @ 5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
70pF @ 10V
Võimsus - Max
1W
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-SMD, Flat Leads
Tarnija seadme pakett
TUMT6
Põhitoote number
US6M1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Disaini ressursid
TUMT6D Inner Structure
Usaldusväärsuse dokumendid
TUMT6 MOS Reliability Test
Andmelehed
US6M1TR
TUMT6 TR Taping Spec
Lisainfo
Muud nimed
US6M1DKR
US6M1CT
Q5785284
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
QS8J2TR
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
SH8J66TB1
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
QH8K22TCR
MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
QS8M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8