Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
UMD4NTR
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
UMD4NTR-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
Inventuur:
870 tk Uus Originaal Laos
12818140
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
UMD4NTR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
4.7kOhms, 10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
47kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
150mW, 120mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
UMT6
Põhitoote number
UMD4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Usaldusväärsuse dokumendid
UMT6 DTR Reliability Test
Andmelehed
UMD4NTR
UMT6 TR Taping Spec
Lisainfo
Muud nimed
846-UMD4NCT
846-UMD4NTR
UMD4NCT
UMD4NDKR
846-UMD4NDKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DCX114YU-7-F
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
22097
DiGi OSANUMBER
DCX114YU-7-F-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SMUN5313DW1T3G
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
20000
DiGi OSANUMBER
SMUN5313DW1T3G-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
MUN5314DW1T1G
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
92062
DiGi OSANUMBER
MUN5314DW1T1G-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PUMD17,115
TOOTJA
NXP USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
298700
DiGi OSANUMBER
PUMD17,115-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PUMD9,115
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
49959
DiGi OSANUMBER
PUMD9,115-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Upgrade
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IMH4AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
EMD30T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
UMD3NFHATR
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
PBLS4004V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666