Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
TT8K1TR
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
TT8K1TR-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8TSST
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 20V 2.5A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventuur:
Küsi hinda veebis
13527001
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
TT8K1TR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Not For New Designs
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Äravool allika pingesse (Vdss)
20V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.5A
Rds sees (max) @ id, vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
260pF @ 10V
Võimsus - Max
1W
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SMD, Flat Lead
Tarnija seadme pakett
8-TSST
Põhitoote number
TT8K1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Disaini ressursid
TSST8D Inner Structure
Andmelehed
TSMT8 TR Taping Spec
Usaldusväärsuse dokumendid
TSST8 MOS Reliability Test
Lisainfo
Muud nimed
TT8K1TRTR
TT8K1TRTR-ND
TT8K1TRCT
TT8K1CT
TT8K1DKR
TT8K1TRDKR
TT8K1TRDKR-ND
TT8K1TRCT-ND
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
US6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
SP8K22FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP