Tootja Toote Number:
RUS100N02TB
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RUS100N02TB-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventuur:
138 tk Uus Originaal Laos
13527495
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RUS100N02TB Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOP
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
RUS100
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMN2009LSS-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
1816
DiGi OSANUMBER
DMN2009LSS-13-DG
ÜHIKPRICE
0.22
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RS3E135BNGZETB
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
2565
DiGi OSANUMBER
RS3E135BNGZETB-DG
ÜHIKPRICE
0.36
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RCX200N20
MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
SCT3105KLGC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
