Tootja Toote Number:
RS1E240BNTB
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RS1E240BNTB-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventuur:
2500 tk Uus Originaal Laos
13525592
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RS1E240BNTB Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
24A (Ta), 40A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3900 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3W (Ta), 30W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-HSOP
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
RS1E
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
RS1E240BNTBTR
RS1E240BNTBDKR
RS1E240BNTBCT
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RUU002N05T106
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
RSF015N06FRATL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
