Tootja Toote Number:
RQ3P300BHTB1
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RQ3P300BHTB1-DG
Kirjeldus:
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 39A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventuur:
14395 tk Uus Originaal Laos
12967358
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RQ3P300BHTB1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
39A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
15.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2040 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
32W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-HSMT (3.2x3)
Pakett / ümbris
8-PowerVDFN
Põhitoote number
RQ3P300
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
846-RQ3P300BHTB1TR
846-RQ3P300BHTB1DKR
846-RQ3P300BHTB1CT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
RX3L07BGNC16
NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
R6524KNZ4C13
650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
