RQ3G150GNTB

Tootja Toote Number:

RQ3G150GNTB

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RQ3G150GNTB-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventuur:

5884 tk Uus Originaal Laos

13525785

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

RQ3G150GNTB Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

ROHM Semiconductor

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

40 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

39A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

11.6 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1450 pF @ 20 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

20W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-HSMT (3.2x3)

Pakett / ümbris

8-PowerVDFN

Põhitoote number

RQ3G150

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

RQ3G150GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Lisainfo

Muud nimed

RQ3G150GNTBTR

RQ3G150GNTBCT

RQ3G150GNTBDKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

rohm-semi

RQ7E110AJTCR

MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8

rohm-semi

RQ5L035GNTCL

MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RUM002N05T2L

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

rohm-semi

RSF015N06TL

MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3