RQ3E160ADTB

Tootja Toote Number:

RQ3E160ADTB

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RQ3E160ADTB-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventuur:

17994 tk Uus Originaal Laos

13525636

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

RQ3E160ADTB Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

ROHM Semiconductor

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

16A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

51 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2550 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2W (Ta)

Töötemperatuur

150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-HSMT (3.2x3)

Pakett / ümbris

8-PowerVDFN

Põhitoote number

RQ3E160

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

RQ3E160AD HSMT8 TB Taping Spec

Lisainfo

Muud nimed

RQ3E160ADTBCT

RQ3E160ADTBTR

RQ3E160ADTBDKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

rohm-semi

RSY160P05TL

MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3

rohm-semi

RQ5C025TPTL

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RCD075N19TL

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

rohm-semi

RSS125N03TB

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP