RQ3E160ADTB
Tootja Toote Number:

RQ3E160ADTB

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RQ3E160ADTB-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventuur:

17994 tk Uus Originaal Laos
13525636
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

RQ3E160ADTB Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2550 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-HSMT (3.2x3)
Pakett / ümbris
8-PowerVDFN
Põhitoote number
RQ3E160

Tehnilised andmed ja dokumendid

Lisainfo

Muud nimed
RQ3E160ADTBCT
RQ3E160ADTBTR
RQ3E160ADTBDKR
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
rohm-semi

RSY160P05TL

MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3

rohm-semi

RQ5C025TPTL

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RCD075N19TL

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

rohm-semi

RSS125N03TB

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP