Tootja Toote Number:
RQ3C150BCTB
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RQ3C150BCTB-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventuur:
12863 tk Uus Originaal Laos
13524256
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RQ3C150BCTB Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4800 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
20W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-HSMT (3.2x3)
Pakett / ümbris
8-PowerVDFN
Põhitoote number
RQ3C150
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
RQ3C150BCTBDKR
RQ3C150BCTBCT
RQ3C150BCTBTR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RZY200P01TL
MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
RSD080N06TL
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
