RP1E100XNTR
Tootja Toote Number:

RP1E100XNTR

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RP1E100XNTR-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13526335
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

RP1E100XNTR Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
800 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
MPT6
Pakett / ümbris
6-SMD, Flat Leads
Põhitoote number
RP1E0100

Lisainfo

Muud nimed
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND
Standardpakett
1,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
rohm-semi

RZF030P01TL

MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

rohm-semi

RSR020N06TL

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

rohm-semi

RXR035N03TCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

R6015ENX

MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM