Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
RGT8NL65DGTL
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RGT8NL65DGTL-DG
Kirjeldus:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS
Üksikasjalik kirjeldus:
IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W Surface Mount LPDS
Inventuur:
972 tk Uus Originaal Laos
13526226
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RGT8NL65DGTL Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
IGBTd, Üksik IGBT-d
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
IGBT tüüp
Trench Field Stop
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
650 V
Praegune - kollektor (Ic) (max)
8 A
Praegune - kollektori impulss (Icm)
12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Võimsus - Max
65 W
Energia vahetamine
-
Sisendi tüüp
Standard
Värava tasu
13.5 nC
Td (sisse/välja) @ 25°C
17ns/69ns
Testi tingimus
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Tagasipööratud taastumisaeg (trr)
40 ns
Töötemperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tarnija seadme pakett
LPDS
Põhitoote number
RGT8NL65
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
RGT8NL65DGTL
Lisainfo
Muud nimed
RGT8NL65DGTLCT
RGT8NL65DGTLTR
RGT8NL65DGTLDKR
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RGT8NS65DGC9
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
RGTH80TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
RGPR20NS43HRTL
IGBT 460V 20A IGNITION LPDS
RGTV60TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM