RF4E080GNTR
Tootja Toote Number:

RF4E080GNTR

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RF4E080GNTR-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

Inventuur:

782 tk Uus Originaal Laos
13524880
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
Iemn
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

RF4E080GNTR Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
295 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
HUML2020L8
Pakett / ümbris
8-PowerUDFN
Põhitoote number
RF4E080

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
RF4E080GNTR HUML2020L8 TR Taping Spec

Lisainfo

Muud nimed
RF4E080GNTRTR
RF4E080GNTRDKR
RF4E080GNTRCT
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
rohm-semi

RQ5E070BNTCL

MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3

rohm-semi

RUC002N05T116

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

rohm-semi

RQ5E035ATTCL

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RE1J002YNTCL

MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F