RD3P07BBHTL1
Tootja Toote Number:

RD3P07BBHTL1

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

RD3P07BBHTL1-DG

Kirjeldus:

NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventuur:

2216 tk Uus Originaal Laos
13314492
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

RD3P07BBHTL1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seeria
-
Pakend
Tape & Reel (TR)
Osa olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2410 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
89W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
RD3P07

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed
846-RD3P07BBHTL1DKR
846-RD3P07BBHTL1CT
846-RD3P07BBHTL1TR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
sanken

FKG1020

LOW RON MOSFET 100V/20A/0.033