Tootja Toote Number:
RCJ331N25TL
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
RCJ331N25TL-DG
Kirjeldus:
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 1.56W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventuur:
1990 tk Uus Originaal Laos
12997793
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RCJ331N25TL Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
250 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
105mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.56W (Ta), 211W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263S
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
RCJ331
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
846-RCJ331N25TLTR
846-RCJ331N25TLCT
846-RCJ331N25TLDKR
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
2N7002E-7-F-79
DIODE
