Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
R8002ANX
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
R8002ANX-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventuur:
Küsi hinda veebis
13526510
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
R8002ANX Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12.7 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
210 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
35W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220FM
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
R8002
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
R8002ANX
Usaldusväärsuse dokumendid
TO220FM MOS Reliability Test
Lisainfo
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FCPF4300N80Z
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
931
DiGi OSANUMBER
FCPF4300N80Z-DG
ÜHIKPRICE
1.08
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
R8002KNXC7G
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
948
DiGi OSANUMBER
R8002KNXC7G-DG
ÜHIKPRICE
0.78
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
R6046FNZC8
MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
RCJ300N20TL
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
RSR020P05TL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
US5U35TR
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5