R6020JNZC17

Tootja Toote Number:

R6020JNZC17

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

R6020JNZC17-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 600 V 20A (Tc) 76W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventuur:

299 tk Uus Originaal Laos

12823354

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

R6020JNZC17 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

ROHM Semiconductor

Pakendamine

Bag

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

600 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

20A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

15V

Rds sees (max) @ id, vgs

234mOhm @ 10A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

7V @ 3.5mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

45 nC @ 15 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1500 pF @ 100 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

76W (Tc)

Töötemperatuur

150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3PF

Pakett / ümbris

TO-3P-3 Full Pack

Põhitoote number

R6020

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed

846-R6020JNZC17

Standardpakett

300

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

IRFS33N15D

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

infineon-technologies

IRL1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB7545PBF

MOSFET N-CH 60V 95A TO220

littelfuse

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268