Tootja Toote Number:
R6009KNX
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
R6009KNX-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventuur:
13526049
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
R6009KNX Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
48W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220FM
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
R6009
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK560A65Y,S4X
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
5
DiGi OSANUMBER
TK560A65Y,S4X-DG
ÜHIKPRICE
0.60
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPAW60R600P7SXKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
1
DiGi OSANUMBER
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
ÜHIKPRICE
0.94
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
