Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
QS5U13TR
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
QS5U13TR-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventuur:
2999 tk Uus Originaal Laos
13525925
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
QS5U13TR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
175 pF @ 10 V
Funktsioon FET
Schottky Diode (Isolated)
Võimsuse hajutamine (max)
1.25W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TSMT5
Pakett / ümbris
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Põhitoote number
QS5U13
Tehnilised andmed ja dokumendid
Disaini ressursid
TSMT5M Inner Structure
Usaldusväärsuse dokumendid
TSMT5 MOS DI Reliability Test
Andmelehed
QS5U13TR
TSMT5 TR Taping Spec
Lisainfo
Muud nimed
QS5U13DKR
QS5U13CT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
QS5U12TR
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
2608
DiGi OSANUMBER
QS5U12TR-DG
ÜHIKPRICE
0.20
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RDD020N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
RD3H080SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
R6025JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM