Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
QH8JC5TCR
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
QH8JC5TCR-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 60V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventuur:
8358 tk Uus Originaal Laos
12985176
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
QH8JC5TCR Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 P-Channel (Dual)
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
60V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Rds sees (max) @ id, vgs
91mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
17.3nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
850pF @ 30V
Võimsus - Max
1.1W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SMD, Flat Lead
Tarnija seadme pakett
TSMT8
Põhitoote number
QH8JC5
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
QH8JC5TCR
Lisainfo
Muud nimed
846-QH8JC5TCRDKR
846-QH8JC5TCRCT
846-QH8JC5TCRTR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SQJB44EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
G4953S
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
IAUC60N04S6L045HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
SIC 4N-CH 1200V 150A