IMB4AT110
Tootja Toote Number:

IMB4AT110

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

IMB4AT110-DG

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13526242
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IMB4AT110 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Not For New Designs
Transistori tüüp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
-
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
-
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
300mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SC-74, SOT-457
Tarnija seadme pakett
SMT6
Põhitoote number
IMB4

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
EMB3

Lisainfo

Muud nimed
IMB4AT110TR
IMB4AT110DKR
IMB4AT110-ND
IMB4AT110CT
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
DDA114TU-7-F
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
4294
DiGi OSANUMBER
DDA114TU-7-F-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
rohm-semi

UMB4NFHATN

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

rohm-semi

UMD5NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

rohm-semi

UMG7NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

rohm-semi

UMG3NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5