Tootja Toote Number:
HS8MA2TCR1
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
HS8MA2TCR1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN3333-9DC
Inventuur:
710 tk Uus Originaal Laos
12967425
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
HS8MA2TCR1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5A (Ta), 7A (Ta)
Rds sees (max) @ id, vgs
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Võimsus - Max
2W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-PowerWDFN
Tarnija seadme pakett
DFN3333-9DC
Põhitoote number
HS8MA2
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
846-HS8MA2TCR1DKR
846-HS8MA2TCR1CT
846-HS8MA2TCR1TR
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AO8801A_001
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
CSD86356Q5DT
MOSFET 25V
PMDXB550UNE,147
NEXPERIA PMDXB550UNE - SMALL SIG
