Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
HP8M51TB1
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
HP8M51TB1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventuur:
2458 tk Uus Originaal Laos
13524535
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
HP8M51TB1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
100V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.5A (Ta)
Rds sees (max) @ id, vgs
170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Võimsus - Max
3W (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Tarnija seadme pakett
8-HSOP
Põhitoote number
HP8M51
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
HP8M51TB1
Lisainfo
Muud nimed
HP8M51TB1CT
HP8M51TB1DKR
HP8M51TB1TR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HP8K24TB
MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
EM5K5T2R
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6