EMH4T2R
Tootja Toote Number:

EMH4T2R

Product Overview

Tootja:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

EMH4T2R-DG

Kirjeldus:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventuur:

22408 tk Uus Originaal Laos
13523558
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

EMH4T2R Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
10kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
-
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
150mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
EMT6
Põhitoote number
EMH4T2

Tehnilised andmed ja dokumendid

Disaini ressursid
EMT6 Inner Structure
Andmelehed
EMH4T2R
Usaldusväärsuse dokumendid
EMT6 DTRTG Reliability Test

Lisainfo

Muud nimed
EMH4T2RCT
EMH4T2R-ND
EMH4T2RDKR
EMH4T2RTR
Standardpakett
8,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
rohm-semi

EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

rohm-semi

EMH10T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMD12T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

IMD16AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6