Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
EMH25T2R
Product Overview
Tootja:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Osanumber:
EMH25T2R-DG
Kirjeldus:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventuur:
93 tk Uus Originaal Laos
13514336
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
EMH25T2R Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
ROHM Semiconductor
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
4.7kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
47kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
150mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-563, SOT-666
Tarnija seadme pakett
EMT6
Põhitoote number
EMH25
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
EMH25T2R
Lisainfo
Muud nimed
846-EMH25T2RDKR
846-EMH25T2RTR
846-EMH25T2RCT
Standardpakett
8,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatiivsed mudelid
Osa number
NSBC143ZDXV6T1G
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
15499
DiGi OSANUMBER
NSBC143ZDXV6T1G-DG
ÜHIKPRICE
0.05
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RN4986FE,LF(CT
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
3745
DiGi OSANUMBER
RN4986FE,LF(CT-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
RN4906FE,LF(CT
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
4000
DiGi OSANUMBER
RN4906FE,LF(CT-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
EMB59T2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
EMF17T2R
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
EMD9T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH1FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR