PJP3NA50_T0_00001
Tootja Toote Number:

PJP3NA50_T0_00001

Product Overview

Tootja:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Osanumber:

PJP3NA50_T0_00001-DG

Kirjeldus:

500V N-CHANNEL MOSFET
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 3A (Ta) 44W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12970633
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
d61W
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

PJP3NA50_T0_00001 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
PANJIT
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
44W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
PJP3

Lisainfo

Muud nimed
3757-PJP3NA50_T0_00001
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
panjit

PJD55N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD40N15_L2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

panjit

PJD5NA80_L2_00001

800V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJQ5424_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M