Tootja Toote Number:

WPB4001-1E

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

WPB4001-1E-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 26A TO3P-3L

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 500 V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12844361

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

WPB4001-1E Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

26A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

87 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2250 pF @ 30 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta), 220W (Tc)

Töötemperatuur

150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-3P-3L

Pakett / ümbris

TO-3P-3, SC-65-3

Põhitoote number

WPB40

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number

IXTQ460P2

TOOTJA

IXYS

KOGUS SAADAVAL

73

DiGi OSANUMBER

IXTQ460P2-DG

ÜHIKPRICE

2.96

ASENDAMISE TüÜP

Similar

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRF840L

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

onsemi

NVF3055L108T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

NTTFS4C58NTAG

MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN

infineon-technologies

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB