Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
SI9955DY
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
SI9955DY-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12847460
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SI9955DY Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
50V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A
Rds sees (max) @ id, vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
345pF @ 15V
Võimsus - Max
900mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
SI9955
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
SI9955DY
HTML andmeleht
SI9955DY-DG
Lisainfo
Muud nimed
SI9955DYTR-NDR
SI9955DYCT
SI9955DYCT-NDR
SI9955DYDKR
SI9955DYTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF7103TRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
9567
DiGi OSANUMBER
IRF7103TRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.29
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
AUIRF7103QTR
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AUIRF7103QTR-DG
ÜHIKPRICE
1.45
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTJD4152PT1
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FD6M043N08
MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
FDD8424H-F085A
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
FDS4885C
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC