Tootja Toote Number:
NVMFS4C302NT1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NVMFS4C302NT1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 3.75W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventuur:
1500 tk Uus Originaal Laos
12845327
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NVMFS4C302NT1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
43A (Ta), 241A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5780 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 115W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN, 5 Leads
Põhitoote number
NVMFS4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
NVMFS4C302NT1G-DG
488-NVMFS4C302NT1GTR
488-NVMFS4C302NT1GDKR
488-NVMFS4C302NT1GCT
Standardpakett
1,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AOB29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO263
MMFT5P03HDT1
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
AOD452
MOSFET N-CH 25V 55A TO252
