Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NVMD4N03R2G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NVMD4N03R2G-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
2456 tk Uus Originaal Laos
12924750
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NVMD4N03R2G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
30V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A
Rds sees (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
16nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
400pF @ 20V
Võimsus - Max
2W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Põhitoote number
NVMD4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NTMD4N03R2
Tehnilised lehed
NVMD4N03R2G
HTML andmeleht
NVMD4N03R2G-DG
Lisainfo
Muud nimed
NVMD4N03R2G-DG
488-NVMD4N03R2GCT
488-NVMD4N03R2GTR
488-NVMD4N03R2GDKR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
NTE2960
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
ECH8659-TL-W
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOT28
EFC6602R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718