NVJD5121NT1G
Tootja Toote Number:

NVJD5121NT1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NVJD5121NT1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventuur:

4589 tk Uus Originaal Laos
12858499
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

NVJD5121NT1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
60V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
295mA
Rds sees (max) @ id, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
26pF @ 20V
Võimsus - Max
250mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
SC-88/SC70-6/SOT-363
Põhitoote number
NVJD5121

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
NTJD5121N, NVJD5121N
Tehnilised lehed
NVJD5121NT1G
HTML andmeleht
NVJD5121NT1G-DG

Lisainfo

Muud nimed
NVJD5121NT1G-DG
NVJD5121NT1GOSDKR
NVJD5121NT1GOSTR
NVJD5121NT1GOSCT
Standardpakett
3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
onsemi

NVMFD5C672NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN

onsemi

NTLGD3502NT2G

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

onsemi

NVMFD5C462NLT1G

MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN

onsemi

NVMFD5C470NLT1G

MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN