NVHL080N120SC1

Tootja Toote Number:

NVHL080N120SC1

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NVHL080N120SC1-DG

Kirjeldus:

SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventuur:

390 tk Uus Originaal Laos

12843834

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NVHL080N120SC1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Toote olek

Not For New Designs

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

SiCFET (Silicon Carbide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

1200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

44A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

20V

Rds sees (max) @ id, vgs

110mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.3V @ 5mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

56 nC @ 20 V

VGS (max)

+25V, -15V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1670 pF @ 800 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

348W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Klassi

Automotive

Kvalifikatsiooni

AEC-Q101

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-247-3

Pakett / ümbris

TO-247-3

Põhitoote number

NVHL080

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

NVHL080N120SC1-DG

Lisainfo

Muud nimed

NVHL080N120SC1OS

Standardpakett

450

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

Not Applicable

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

MTW32N20E

MOSFET N-CH 200V 32A TO247

onsemi

NTJS4151PT1

MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

onsemi

MTD3055VL

MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3

onsemi

NTTFS4937NTAG

MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN