Tootja Toote Number:
NVBG160N120SC1
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NVBG160N120SC1-DG
Kirjeldus:
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1200 V 19.5A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventuur:
785 tk Uus Originaal Laos
12938251
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NVBG160N120SC1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
SiCFET (Silicon Carbide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
19.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
20V
Rds sees (max) @ id, vgs
224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 2.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
33.8 nC @ 20 V
VGS (max)
+25V, -15V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
678 pF @ 800 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
136W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK-7
Pakett / ümbris
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Põhitoote number
NVBG160
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
488-NVBG160N120SC1DKR
488-NVBG160N120SC1CT
488-NVBG160N120SC1TR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
NTBG160N120SC1
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
512
DiGi OSANUMBER
NTBG160N120SC1-DG
ÜHIKPRICE
4.23
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NDP7050
MOSFET N-CH 50V 75A TO220-3
NVBGS4D1N15MC
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
XK1R9F10QB,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
