Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NVB5426NT4G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NVB5426NT4G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12858803
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NVB5426NT4G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
215W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
NVB542
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NTB,NTP5426N
Tehnilised lehed
NVB5426NT4G
HTML andmeleht
NVB5426NT4G-DG
Lisainfo
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
BUK966R5-60E,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
4779
DiGi OSANUMBER
BUK966R5-60E,118-DG
ÜHIKPRICE
0.89
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PSMN7R6-60BS,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
7953
DiGi OSANUMBER
PSMN7R6-60BS,118-DG
ÜHIKPRICE
0.65
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
AOB2606L
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AOB2606L-DG
ÜHIKPRICE
0.62
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPB057N06NATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
720
DiGi OSANUMBER
IPB057N06NATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.58
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
BUK969R0-60E,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
4690
DiGi OSANUMBER
BUK969R0-60E,118-DG
ÜHIKPRICE
0.76
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NVMYS010N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
IRF720LPBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
NVMFS5C673NLWFAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
NVGS4141NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP