NTY100N10

Tootja Toote Number:

NTY100N10

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTY100N10-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 123A TO264

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12857340

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTY100N10 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

123A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

350 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

10110 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

313W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-264

Pakett / ümbris

TO-264-3, TO-264AA

Põhitoote number

NTY100

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

2156-NTY100N10-ON

ONSONSNTY100N10

Standardpakett

25

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTLJS4149PTBG

MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN

onsemi

NTB5605PT4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

NVMYS011N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

NP82N04PUG(1)-E1B-AY

TRANSISTOR