NTS4173PT1G

Tootja Toote Number:

NTS4173PT1G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTS4173PT1G-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 30 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Inventuur:

21570 tk Uus Originaal Laos

12938031

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTS4173PT1G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

1.2A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

2.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

150mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

10.1 nC @ 10 V

VGS (max)

±12V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

430 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

290mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SC-70-3 (SOT323)

Pakett / ümbris

SC-70, SOT-323

Põhitoote number

NTS4173

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

NTS4173PT1GOSCT

NTS4173PT1GOSTR

NTS4173PT1G-DG

NTS4173PT1GOSDKR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

alpha-and-omega-semiconductor

AON6590A

MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN

onsemi

MGSF3442XT1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

RFL1N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK6013DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET