NTPF190N65S3H
Tootja Toote Number:

NTPF190N65S3H

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTPF190N65S3H-DG

Kirjeldus:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 16A (Tj) 32W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventuur:

12992734
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

NTPF190N65S3H Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
SuperFET® III
Toote olek
Not For New Designs
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Tj)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
32W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220FP
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
488-NTPF190N65S3HTR-DG
488-NTPF190N65S3HCT-DG
488-NTPF190N65S3H
488-NTPF190N65S3HCTiNACTIVE
488-NTPF190N65S3HDKR-DG
488-NTPF190N65S3HDKR
488-NTPF190N65S3HDKRINACTIVE
488-NTPF190N65S3HCT
488-NTPF190N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF190N65S3HTR
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
nexperia

PMX3000ENEZ

PMX3000ENEZ

goford-semiconductor

G16N03S

N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5

onsemi

FQNLNSOCTA

MOSFET N-CH

micro-commercial-components

MCB145N15Y-TP

MOSFET N-CHANNEL MOSFET