NTMS7N03R2G

Tootja Toote Number:

NTMS7N03R2G

Product Overview

Tootja:

onsemi

DiGi Electronics Osanumber:

NTMS7N03R2G-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12844913

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

NTMS7N03R2G Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

onsemi

Pakendamine

-

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

4.8A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1190 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

800mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-SOIC

Pakett / ümbris

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Põhitoote number

NTMS7

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

NTMS7N03R2GOSCT

ONSONSNTMS7N03R2G

NTMS7N03R2GOSTR

NTMS7N03R2GOSDKR

NTMS7N03R2GOS

2156-NTMS7N03R2G-OS

NTMS7N03R2GOS-DG

Standardpakett

2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

onsemi

NTD3055-150T4

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

onsemi

NTMJS1D6N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK

onsemi

SVD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3

AO7400L

MOSFET N-CH 30V SC70-3