Tootja Toote Number:
NTMS4700NR2
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTMS4700NR2-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12847934
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTMS4700NR2 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.6A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 24 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
860mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
NTMS47
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
NTMS4700NR2OSCT
ONSONSNTMS4700NR2
NTMS4700NR2OSTR
2156-NTMS4700NR2-ONTR
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
AON6548
MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
NDT014L
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
FDPF20N50T
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
