Tootja Toote Number:
NTMS4107NR2G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTMS4107NR2G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventuur:
12841335
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTMS4107NR2G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
onsemi
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6000 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
930mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SOIC
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
NTMS41
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNTMS4107NR2G
2156-NTMS4107NR2G-ONTR
NTMS4107NR2G-DG
NTMS4107NR2GOSTR
NTMS4107NR2GOSCT
=NTMS4107NR2GOSCT-DG
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF7832TRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
13071
DiGi OSANUMBER
IRF7832TRPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.57
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SI4842BDY-T1-E3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
2491
DiGi OSANUMBER
SI4842BDY-T1-E3-DG
ÜHIKPRICE
0.97
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
NTB52N10T4G
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A IPAK/TP
