Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NTJD4105CT2G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTJD4105CT2G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventuur:
5990 tk Uus Originaal Laos
12847941
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTJD4105CT2G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
20V, 8V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
630mA, 775mA
Rds sees (max) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
46pF @ 20V
Võimsus - Max
270mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
SC-88/SC70-6/SOT-363
Põhitoote number
NTJD4105
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NTJD4105C
Tehnilised lehed
NTJD4105CT2G
HTML andmeleht
NTJD4105CT2G-DG
Lisainfo
Muud nimed
ONSONSNTJD4105CT2G
2156-NTJD4105CT2G-OS
NTJD4105CT2GOSTR
2832-NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G-DG
NTJD4105CT2GOSDKR
NTJD4105CT2GOSCT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
FDMS7606
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
AO8801L
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
FW274-TL-E
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
NTLJD4150PTBG
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN