Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
NTJD1155LT1G
Product Overview
Tootja:
onsemi
DiGi Electronics Osanumber:
NTJD1155LT1G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventuur:
141507 tk Uus Originaal Laos
12856897
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
NTJD1155LT1G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
onsemi
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
8V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.3A
Rds sees (max) @ id, vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
-
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
-
Võimsus - Max
400mW
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
SC-88/SC70-6/SOT-363
Põhitoote number
NTJD1155
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
NTJD1155L
Tehnilised lehed
NTJD1155LT1G
HTML andmeleht
NTJD1155LT1G-DG
Lisainfo
Muud nimed
NTJD1155LT1GOSTR
ONSNTJD1155LT1G
2156-NTJD1155LT1G-OS
NTJD1155LT1GOSCT
NTJD1155LT1GOSDKR
2832-NTJD1155LT1GTR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
NTL4502NT1
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16QFN
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
VEC2415-TL-E
MOSFET 2N-CH 60V 3A SOT28
NVMFD6H840NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN